参数是等离子清洗的灵魂，功率、气体流量、处理时间、真空度任何一项偏差都可能让清洗功亏一篑。功率过低，等离子体能量不足，无法彻底剥离有机污染物和氧化层；功率过高，则可能损伤晶圆表面甚至造成物理溅射过度。气体选择同样关键：去除有机污染物应选氧气等离子体，去除氧化物可选氮气或氩气，GaN/SiC衬底清洗需用Ar/H₂混合气体。清洗时间过短无法彻底清洁，过长则浪费资源并可能损伤表面。建议根据晶圆材质和污染物种类，通过小批量试验确定最佳参数组合。例如台积电在7nm制程中采用等离子清洗，将晶圆缺陷率降至0.01 defects/cm²，正是精密参数调控的结果。操作人员务必严格按照设备说明书设置参数，切勿凭经验随意调整。